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HSBA8076A
N-Ch 80V 快速开关 MOSFETs
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- 描述
- 高单元密度SGT N沟道MOSFET，为大多数同步整流应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和无卤产品要求，100%保证EAS，具备完整的功能可靠性认证。100% EAS保证；提供绿色环保器件；超低栅极电荷；出色的CdV/dt效应抑制；采用先进的高单元密度沟槽技术。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA8076A
- 商品编号
- C51025854
- 商品封装
- PRPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 126W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 101nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.56nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.051nF |