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HSBA6315
双P沟道60V快速开关MOSFET
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- 描述
- 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证雪崩耐量 (EAS)，具备完整功能可靠性认证。超低栅极电荷，100% 保证雪崩耐量 (EAS)，有绿色环保器件可选，出色的 CdV/dt 效应抑制，采用先进的高单元密度沟槽技术。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA6315
- 商品编号
- C51025860
- 商品封装
- PRPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.132044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.635nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 141pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 224pF |
商品概述
HSBA6315是高单元密度沟槽P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBA6315符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有雪崩耐量（EAS），且通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证具有雪崩耐量（EAS）
- 有绿色环保器件可供选择
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术