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HSU4056
N沟道快速开关MOSFET，采用先进SGT MOS技术，低栅极电荷
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU4056
- 商品编号
- C51025861
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 513pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 先进SGT MOS技术
- 低栅极电荷
- 100% UIS测试
- 低栅极电荷
应用领域
- 开关电源同步整流
- DC/DC转换器
- ORING