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HSBA3080
N沟道30V快速开关MOSFET
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- 描述
- 100% UIS 测试。先进的沟槽技术。低栅极电荷。高电流能力。符合 RoHS 和无卤标准
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA3080
- 商品编号
- C51025848
- 商品封装
- PRPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V；2.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.232nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 946pF |
商品概述
100% UIS测试；先进的SGT MOS技术；低栅极电荷；高电流能力；符合RoHS标准且无卤素
商品特性
- 100% UIS测试
- 先进的SGT MOS技术
- 低栅极电荷
- 高电流能力
- 符合RoHS标准且无卤素
应用领域
- 台式计算机电源管理
- DC/DC转换器