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HSBA4056
N沟道40V快速开关MOSFET
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- 描述
- 先进沟槽技术。低栅极电荷。100% UIS 测试。低栅极电荷
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA4056
- 商品编号
- C51025851
- 商品封装
- PRPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 513pF |
商品概述
- 先进的SGT MOS技术
- 低栅极电荷
- 100% UIS测试
- 低栅极电荷
应用领域
- 开关电源同步整流
- DC/DC转换器
- 或门二极管