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HSBA3072C实物图
  • HSBA3072C商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HSBA3072C

N沟道30V快速开关MOSFET

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描述
100% EAS 保证。提供绿色环保产品。超低栅极电荷。出色的 CdV/dt 效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术
品牌名称
HUASHUO(华朔)
商品型号
HSBA3072C
商品编号
C51025849
商品封装
PRPAK-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))1.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)55W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.86nF
反向传输电容(Crss)229pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)1.3nF

数据手册PDF