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HSCE4117
P-Ch 40V 快速开关 MOSFETs
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- 描述
- 是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证单脉冲雪崩能量EAS，具备完整功能可靠性认证。超低栅极电荷，100%保证单脉冲雪崩能量EAS，出色的CdV/dt效应衰减，提供绿色环保器件，采用先进的高单元密度沟槽技术。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSCE4117
- 商品编号
- C51025846
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.67nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 313pF |
商品概述
HSCE4117是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSCE4117符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证抗雪崩能力(EAS)
- 出色的dv/dt效应抑制
- 提供绿色环保器件
- 先进的高单元密度沟槽技术