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HSCB2004A
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
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- 描述
- 高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，具备完整的功能可靠性。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSCB2004A
- 商品编号
- C51025840
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A；5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V；16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV；700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.6nC@4.5V；8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 877pF；557pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 83pF；55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 92pF；69pF |