温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSCB20N06
N沟道60V快速开关MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量耐量，具备完整功能可靠性认证。100%保证雪崩能量耐量。提供绿色环保器件。超低栅极电荷。出色的dv/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSCB20N06
- 商品编号
- C51025839
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V；16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 807pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 265pF |