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HSK1N25
N沟道250V快速开关MOSFET
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- 描述
- 具有极高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS保证，具备完整功能可靠性认证。超低栅极电荷，有绿色器件可选，出色的Cdv/dt效应抑制，采用先进的高单元密度沟槽技术。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSK1N25
- 商品编号
- C51025833
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 14pF |