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HSK3N10
N沟道 100V 3A
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- 描述
- 新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合高效电源管理应用。符合RoHS和绿色产品要求，100% EAS保证，具备全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSK3N10
- 商品编号
- C51025832
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V；100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
HSK3N10是新一代MOSFET，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合高效电源管理应用。 HSK3N10符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 针对快速开关应用进行优化
应用领域
- 高效电源管理应用