温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSW8816
双N沟道16V快速开关MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 是低导通电阻（RDSON）的沟槽型 N 沟道 MOSFET。适用于锂离子电池组应用。符合 RoHS 和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSW8816
- 商品编号
- C51025828
- 商品封装
- SOT23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 16V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |