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NCP1366AABAYDR2G实物图
  • NCP1366AABAYDR2G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCP1366AABAYDR2G

NCP1366AABAYDR2G

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描述
NCP1366 提供了一个新型方案,目的是在通用电源反激式应用中实现从几瓦到 20 W 的输出功率水平。由于采用新方法,该新型控制器不再需要用于恒定电流调节的辅助反馈电路,同时使用传统的光耦合器和 TL431 电压参考实现了出色的线路和负载调节。NCP1366 在高负载时以谷锁闭准谐振峰值电流控制模式运行,以提供高能效。当辅助侧功率开始消失时,该控制器将自动调节占空比,然后在更低负载下,该控制器通过谷开关检测,以固定峰值电流进入脉冲频率调制。这种技术允许在微小的虚拟负载下保持输出调节。前 4 个谷中的谷锁闭可防止谷跳跃运行,然后在更低负载下的谷开关可提供高能效。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCP1366AABAYDR2G
商品编号
C513011
商品封装
SOIC-7​
包装方式
编带
商品毛重
0.276克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录AC-DC控制器和稳压器
是否隔离隔离
工作电压6.5V~28V
属性参数值
拓扑结构反激式
工作温度-40℃~+125℃@(Tj)

商品概述

NCP1361/66为通用市电反激式应用提供了一种全新解决方案,适用于几瓦至20 W的输出功率水平。凭借一种新颖的方法,这款新型控制器实现了初级侧恒流控制,无需使用次级侧元件进行电流调节。 NCP1361/66在标称负载下以谷底锁定准谐振峰值电流模式控制模式运行,以实现高效率。当次级侧功率开始降低时,开关频率自然升高,直至压控振荡器(VCO)起主导作用,使MOSFET在漏源电压谷底导通。通过逐步进入后续谷底,频率随之降低,直至达到第4个谷底。超过此点后,在谷底开关模式下,频率线性降低,直至达到最小值。前四个漏源电压谷底期间的谷底锁定可防止出现不稳定的离散跳变,并在轻载情况下实现良好的效率。

商品特性

  • ±10%电流调节精度
  • 560 V启动电流源
  • 无频率钳位,提供80或110 kHz最大开关频率选项
  • 具备谷底开关操作的准谐振运行
  • 固定峰值电流和轻载运行时的深度频率折返
  • 外部恒压反馈调节
  • 逐周期峰值电流限制
  • 内置软启动
  • 输出过压和欠压保护
  • 宽VCC工作范围(最高28 V)
  • NCP1361的低启动电流(典型值2.5 μA)
  • 用于MOSFET的钳位栅极驱动输出
  • CS和Vs/ZCD引脚短路和开路保护
  • 内置温度关断功能
  • NCP1366版本在高线电压下的空载功耗低于30 mW
  • 这些器件为无铅器件

应用领域

  • 低功率充电器用AC-DC适配器
  • 手机、平板电脑和相机用AC-DC USB充电器

数据手册PDF

优惠活动

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
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