NCP1366AABAYDR2G
NCP1366AABAYDR2G
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- 描述
- NCP1366 提供了一个新型方案,目的是在通用电源反激式应用中实现从几瓦到 20 W 的输出功率水平。由于采用新方法,该新型控制器不再需要用于恒定电流调节的辅助反馈电路,同时使用传统的光耦合器和 TL431 电压参考实现了出色的线路和负载调节。NCP1366 在高负载时以谷锁闭准谐振峰值电流控制模式运行,以提供高能效。当辅助侧功率开始消失时,该控制器将自动调节占空比,然后在更低负载下,该控制器通过谷开关检测,以固定峰值电流进入脉冲频率调制。这种技术允许在微小的虚拟负载下保持输出调节。前 4 个谷中的谷锁闭可防止谷跳跃运行,然后在更低负载下的谷开关可提供高能效。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCP1366AABAYDR2G
- 商品编号
- C513011
- 商品封装
- SOIC-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.276克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | AC-DC控制器和稳压器 | |
| 是否隔离 | 隔离 | |
| 工作电压 | 6.5V~28V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拓扑结构 | 反激式 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Tj) |
商品概述
NCP1361/66为通用市电反激式应用提供了一种全新解决方案,适用于几瓦至20 W的输出功率水平。凭借一种新颖的方法,这款新型控制器实现了初级侧恒流控制,无需使用次级侧元件进行电流调节。 NCP1361/66在标称负载下以谷底锁定准谐振峰值电流模式控制模式运行,以实现高效率。当次级侧功率开始降低时,开关频率自然升高,直至压控振荡器(VCO)起主导作用,使MOSFET在漏源电压谷底导通。通过逐步进入后续谷底,频率随之降低,直至达到第4个谷底。超过此点后,在谷底开关模式下,频率线性降低,直至达到最小值。前四个漏源电压谷底期间的谷底锁定可防止出现不稳定的离散跳变,并在轻载情况下实现良好的效率。
商品特性
- ±10%电流调节精度
- 560 V启动电流源
- 无频率钳位,提供80或110 kHz最大开关频率选项
- 具备谷底开关操作的准谐振运行
- 固定峰值电流和轻载运行时的深度频率折返
- 外部恒压反馈调节
- 逐周期峰值电流限制
- 内置软启动
- 输出过压和欠压保护
- 宽VCC工作范围(最高28 V)
- NCP1361的低启动电流(典型值2.5 μA)
- 用于MOSFET的钳位栅极驱动输出
- CS和Vs/ZCD引脚短路和开路保护
- 内置温度关断功能
- NCP1366版本在高线电压下的空载功耗低于30 mW
- 这些器件为无铅器件
应用领域
- 低功率充电器用AC-DC适配器
- 手机、平板电脑和相机用AC-DC USB充电器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
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