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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCP367DPMUEETBG

NCP367DPMUEETBG

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCP367DPMUEETBG
商品编号
C513020
商品封装
DFN-8-EP(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.021克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录电池管理
芯片类型-
工作电压1.2V~28V
最大充电电流-
属性参数值
充电饱和电压4.35V
电池节数1
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

NCP367是一款充电路径保护器件,当检测到错误的充电条件时,可将系统与其输出引脚断开。该系统具备正向过压保护功能,最高可承受+30 V电压。由于电流消耗极低,USB充电与该集成组件兼容。此器件采用内部PMOS FET,无需外部器件,从而降低了系统成本和应用板的PCB面积。若输入电压超过过压阈值,NCP367能够立即将输出与输入断开。额外的过流保护功能可在充电电流超过电流限制(该限制可通过外部选择)时关闭内部PMOS FET。可通过控制逻辑引脚修改电流限制值,将其除以内部增益,实现USB 100 mA/500 mA充电或USB/壁式适配器充电,直至达到过流阈值。同时,持续监测锂离子电池电压,为充电过程提供更高的安全性。还具备热关断保护功能。NCP367提供一个负向标志(FLAG)输出,当出现过压(电源或电池电压)、过流或热事件等故障时,向系统发出警报。此外,当使用1 μF或更大的电容进行旁路时,该器件的输入具有ESD保护(15 kV空气放电)。

商品特性

  • 最高+30 V过压保护
  • 快速关断时间
  • 极低电流消耗/符合USB标准
  • 锂离子电池电压监测
  • 过压锁定(OVLO)
  • 欠压锁定(UVLO)
  • 过流保护可外部调节(OCP),最高可达2.8 A
  • 热关断
  • 关断使能和增益输入引脚
  • 软启动以消除浪涌电流
  • 警报标志输出
  • 符合IEC61000 - 4 - 2(4级)8 kV(接触放电)、15 kV(空气放电)
  • ESD等级:机器模型μ = B,人体模型 = 2
  • 8引脚DFN 2.2x2 mm封装
  • 这些是无铅器件

应用领域

  • USB设备
  • 手机
  • 外设
  • 个人数字应用
  • MP3播放器

数据手册PDF