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MJD31C
NPN硅外延平面晶体管，用于功率开关和放大器应用
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- 描述
- 晶体管类型：NPN，集电极电流：3A，集射极击穿电压：100V，耗散功率：1.56W，适用于线性及开关应用。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- MJD31C
- 商品编号
- C49823466
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 特征频率(fT) | 3MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 50uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.2V@3A,0.375A | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
应用领域
- 电源开关
- 放大器应用
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