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ZXMN10A09KTC
1个N沟道 耐压:100V 电流:7.7A
- 描述
- 这款MOSFET具有低导通电阻、快速开关和高雪崩耐受能力的特点，非常适合用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN10A09KTC
- 商品编号
- C507847
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@6V,4.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 10.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.313nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET具有低导通电阻、快速开关和高雪崩耐受能力的特点，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
~~- 低输入电容-低导通电阻-快速开关速度-“绿色”元件,符合RoHS标准-符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- DC-DC转换器-电源管理功能-断开开关-电机控制-不间断电源