商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 205W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 111nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.855nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100V
- 漏极电流(ID) = 150 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 4.2 mΩ
- 经过雪崩能量测试
- 开关速度快
- 改善了dv/dt能力,具有高耐用性
应用领域
- 功率开关应用
- 直流-直流转换器
- 电源管理