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HB10N850S
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.175nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V
- 漏极电流（ID） = 15 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V 时，导通电阻（RDS(on)） < 85 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V 时，导通电阻（RDS(on)） < 110 mΩ
- 经过雪崩能量测试
- 快速开关速度
- 改善的 dv/dt 能力，高耐用性
应用领域
- 直流-直流转换器-负载开关-电源管理