温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HB03N056S
30V 80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：VDS = 30V。ID = 80A。RDS(on)@VGS = 10V < 5.6mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 8mΩ。高密度单元设计，实现超低导通电阻。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HB03N056S
- 商品编号
- C49424005
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 43W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30 V
- 漏极电流(ID) = 80 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 5.6 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 8 mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理