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HV10N1H6S
100V 3A
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- 描述
- 特性：VDS = 100 V。 ID = 3 A。 RDS(on)@VGS = 10 V < 160 mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5 V < 170 mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HV10N1H6S
- 商品编号
- C49424009
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100 V
- 漏极电流(ID) = 3 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 160 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 170 mΩ
- 经过雪崩能量测试
- 快速开关速度
- 改善的dv/dt能力,高耐用性
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源