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HD302P130S
20V 55A
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- 描述
- 特性：VDS = -20 V。 ID = -55 A。 RDS(on)@VGS = -4.5 V < 9 mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5 V < 13 mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池保护应用。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HD302P130S
- 商品编号
- C49424002
- 商品封装
- PDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.585nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 490pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20 V
- 漏极电流(ID) = -55 A
- 栅源电压(VGS) = -4.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 9 mΩ
- 栅源电压(VGS) = -2.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 13 mΩ
- 沟槽功率低压 MOSFET 技术
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
-电池保护应用-负载开关-电源管理