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HD303P120S
30V 42A
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- 描述
- 特性：VDS = -30 V。 ID = -42 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 12 mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5 V < 18 mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电源开关应用。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HD303P120S
- 商品编号
- C49424003
- 商品封装
- PDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 73.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.425nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V
- 漏极电流（ID） = -42 A
- 栅源电压（VGS） = -10 V时，导通电阻（RDS(on)） < 12 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V时，导通电阻（RDS(on)） < 18 mΩ
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 功率开关应用
- 负载开关
- 电源管理