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HD304N090S
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = 40V。ID = 40A。RDS(on)@VGS = 10V < 8.5mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 12mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：DC-DC转换器。负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HD304N090S
- 商品编号
- C49423984
- 商品封装
- PDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.285nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
总价金额：
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