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ESD73004D-10/TR实物图
  • ESD73004D-10/TR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ESD73004D-10/TR

ESD73004D-10/TR

品牌名称
WILLSEMI(韦尔)
商品型号
ESD73004D-10/TR
商品编号
C506150
商品封装
DFN2510-10L​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性单向
反向截止电压(Vrwm)3.3V
钳位电压6V
峰值脉冲电流(Ipp)5.5A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)33W@8/20us
属性参数值
击穿电压6.5V
通道数四路
工作温度-40℃~+85℃
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容0.65pF

商品概述

ESD73004D是一款超低电容的TVS(瞬态电压抑制器)阵列,专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,使其免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。 ESD73004D集成了四对超低电容的导向二极管和一个TVS二极管。 根据IEC61000 - 4 - 2标准,ESD73004D可提供高达±20 kV(接触放电)的ESD保护;根据IEC61000 - 4 - 5标准,它能承受高达5.5A(8/20 μs)的峰值脉冲电流。 ESD73004D采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤。

商品特性

  • 关断电压:最大3.3V
  • 根据IEC61000 - 4 - 2(ESD)标准,每条线路的瞬态保护:±20 kV(接触放电) IEC61000 - 4 - 4(EFT):40A(5/50ns) IEC61000 - 4 - 5(浪涌):5.5A(8/20μs)
  • 超低电容:典型值CJ = 0.65 pF(I/O到地)
  • 超低泄漏电流:典型值IR < 1 nA
  • 低钳位电压:典型值VCL = 6.3 V @ IPP = 16 A(TLP) 固态硅技术

应用领域

  • USB 2.0和USB 3.1
  • SATA和eSATA
  • DVI
  • 便携式电子设备和笔记本电脑

数据手册PDF