MS2110STRPBF
MS2110STRPBF
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- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MS2110STRPBF
- 商品编号
- C49375240
- 商品封装
- SOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | 2A | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 10ns | |
| 下降时间(tf) | 10ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 功能特性 | 使能关断；交错导通保护 |
商品概述
高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，提供独立的高边和低边输出驱动信号。采用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术，提供可靠的单片驱动方案。逻辑输入电平兼容标准CMOS或LSTTL输出，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通。延时匹配功能便于高频应用。浮动通道可用于驱动高边配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压最高可达600V。
商品特性
- 为自举供电设计的浮动通道
- 最高600V工作电压
- 允许瞬态负电压，不受dV/dt影响
- 10V至20V驱动电源范围
- 高边和低边欠压锁定
- 兼容3.3V、5V和15V逻辑
- 逻辑地与功率地可承受±5V偏置
- 防止交叉导通的逻辑设计
- 带下拉电阻的施密特触发器输入
- 逐周期边缘触发的关断逻辑
- 两通道间传输延时匹配
- 输入输出同相
- 典型驱动电流：2.0A/2.0A
- 典型开启/关断延时：140ns/140ns
- 符合RoHS标准
- SOP-16封装
应用领域
- 充电器
- 电源适配器
- 通用逆变器
- 电机驱动