MSIR2113STR
MSIR2113STR
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- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MSIR2113STR
- 商品编号
- C49375242
- 商品封装
- SOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 使能关断；交错导通保护 |
商品概述
高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器，提供独立的高边与低边输出驱动信号。采用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术，构成可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平兼容标准CMOS或LSTTL输出，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器配备高脉冲电流缓冲级，旨在减小驱动器交叉导通。其延时匹配功能便于应用于高频设备。浮动通道可用于驱动高边配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压最高可达600V。
商品特性
- 为自举供电设计的浮动通道
- 最高工作电压达600V
- 允许瞬态负电压，不受 dV/dt 影响
- 驱动电源电压范围：10V 至 20V
- 高边与低边均具备欠压锁定功能
- 兼容3.3V、5V和15V逻辑电平
- 逻辑地与功率地可承受 ±5V 偏置
- 防止交叉导通的逻辑设计
- 带下拉电阻的施密特触发器输入
- 逐周期边缘触发的关断逻辑
- 两通道间传输延时匹配
- 输入与输出同相
- 典型驱动电流：2.0A / 2.0A
- 典型开启/关断延时：140ns / 140ns
- 符合RoHS标准
- SOP-16封装
应用领域
- 充电器
- 电源适配器
- 通用逆变器
- 电机驱动