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CJAB25P03
1个P沟道 耐压:30V 电流:25A
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- 描述
- CJAB25P03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJAB25P03
- 商品编号
- C504068
- 商品封装
- PDFNWB3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCEP02580D采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg) 组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 高密度单元设计,实现超低 \mathsfRDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
应用领域
-电池和负载开关