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CJBA3134K

1个N沟道 耐压:20V 电流:0.75A

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描述
特性:无铅产品。 表面贴装封装。 N沟道开关,低导通电阻。 低逻辑电平栅极驱动操作。 栅极具有ESD保护。应用:负载/电源开关。 接口开关
商品型号
CJBA3134K
商品编号
C504098
商品封装
DFN-3L(1x0.6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.01克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)750mA
导通电阻(RDS(on))500mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)100mW
阈值电压(Vgs(th))1.1V
输入电容(Ciss)120pF
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 获得无铅产品认证
  • 表面贴装封装
  • 具有低导通电阻RDS(on)的N沟道开关
  • 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
  • 栅极具备静电放电保护

应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 超小型便携式电子设备的电池管理
  • 逻辑电平转换

数据手册PDF