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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJAC50P03

1个P沟道 耐压:30V 电流:50A

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描述
CJAC50P03采用先进的沟槽技术和设计,在实现低栅极电荷的同时,提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品型号
CJAC50P03
商品编号
C504092
商品封装
PDFNWB-8L-EP(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.119克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))4.4mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)84nC
输入电容(Ciss)3.59nF
反向传输电容(Crss)665pF

商品概述

CJAC50P03采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻RDS(ON)
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 具备高单脉冲雪崩耐量(EAS),稳定性和一致性良好
  • 采用出色的封装,散热性能良好
  • 采用特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力

应用领域

  • 电池和负载开关

数据手册PDF