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DOD4189
P沟道MOSFET
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- 描述
- P管/-40V/-45A/15mΩ/(典型9.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD4189
- 商品编号
- C49237740
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.451076克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V；14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 73.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.063nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 203pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -40 V,漏极电流(ID) = -45 A,在栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 15 mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻(RDS(ON))。
- 封装散热性能良好。