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IRLR3636-DO
采用先进沟槽技术、低栅极电荷的N沟道MOSFET
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- 描述
- N管/60V/55A/12mΩ/(典型8mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- IRLR3636-DO
- 商品编号
- C49237747
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45008克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.045nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60 V,漏极电流(ID) = 55 A,当栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 12 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(on))
- 采用散热性能良好的出色封装
应用领域
- MB/VGA内核电压-开关模式电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器