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IRLR2705-DO
采用先进沟槽技术、低栅极电荷的N沟道MOSFET
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- 描述
- N管/60V/30A/30mΩ(典型21mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- IRLR2705-DO
- 商品编号
- C49237809
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.473267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON),适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 60 V, ID = 30 A, RDS(ON) < 30 m Ω(VGS = 10 V 时)
- 低栅极电荷。
- 有环保型产品可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的封装。