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IRFR3411-DO
N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- N管/100V/30A/30mΩ/(典型24mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- IRFR3411-DO
- 商品编号
- C49237798
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.492857克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.857nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 99pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 126pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压 VDS = 100 V,漏极电流 ID = 30 A,在栅源电压 VGS = 10 V 时,导通电阻 RDS(ON) < 30 m Ω
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可选。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻 RDS(ON)。
- 出色的封装,散热性能良好。