温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPD053N06N-DO
N沟道 耐压:60V 电流:68A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SGT工艺/60V/68A/10mΩ/(典型7.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- IPD053N06N-DO
- 商品编号
- C49237805
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45096克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 81W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.204nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194.1pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 68 A,RDS(ON) < 10 m Ω(VGS = 10 V时),典型值为 7.5 m Ω
- 低栅极电荷。
- 有环保型产品可选。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 封装设计出色,散热性能良好。