温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQD40P10-40L_GE3-DO
采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- P管/-100V/-40A/55mΩ/(典型40mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- SQD40P10-40L_GE3-DO
- 商品编号
- C49237801
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.055nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 69pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -100 V,漏极电流(ID) = -40 A,当栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 55 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 采用散热性能良好的优质封装。