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ATP113-TL-H-DO实物图
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ATP113-TL-H-DO

P沟道MOSFET

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描述
P管/-60V/-50A/20mΩ/(典型17mΩ)
商品型号
ATP113-TL-H-DO
商品编号
C49237744
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.489克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@10V
耗散功率(Pd)270W
阈值电压(Vgs(th))1.6V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)114nC@10V
输入电容(Ciss)4.399nF
反向传输电容(Crss)211pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)258pF

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个2500个/圆盘

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