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ATP113-TL-H-DO
P沟道MOSFET
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- 描述
- P管/-60V/-50A/20mΩ/(典型17mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- ATP113-TL-H-DO
- 商品编号
- C49237744
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.489克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 270W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.399nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 211pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 258pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -60 V,漏极电流(ID) = -50 A,在栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 20 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 散热性能良好的出色封装
- 湿敏等级3(MSL3)
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器