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DOD424
N沟道MOSFET
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- 描述
- N管/20V/45A/8mΩ/(典型6.3mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD424
- 商品编号
- C49208606
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.452709克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下可实现出色的导通电阻(RDS(on)),适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20 V,漏极电流(ID) = 45 A,当栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 8 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能优异