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IRF9540-DO
P沟道MOSFET
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- 描述
- P管/-100V/-40A/55mΩ/(典型40mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- IRF9540-DO
- 商品编号
- C49208666
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4766克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.055nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 69pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的RDS(ON)以及低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -100 V, ID = -40 A, RDS(ON) < 55 m Ω(VGS = -10 V 时)
- 低栅极电荷。
- 有环保器件可供选择。
- 先进的高单元密度沟槽技术,实现超低 RDS(ON)。
- 优秀的封装设计,利于散热。