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IRFR1018E-DO
采用先进沟槽技术、低栅极电荷的N沟道MOSFET
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- 描述
- N管/60V/80A/6.5mΩ/(典型5.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- IRFR1018E-DO
- 商品编号
- C49208668
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.508417克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 272pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40 V，漏极电流（ID） = 120 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 4 mΩ（典型值：3.3 mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 出色的封装，散热性能良好
- 湿度敏感度等级（MSL）为3级