温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STD100N10F7-DO
采用先进SGT技术的N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SGT工艺/100V/85A/7.5mΩ/(典型6.4mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- STD100N10F7-DO
- 商品编号
- C49208673
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.497933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.399nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.319nF |