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FDD86567-F085-DO
N沟道MOSFET
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- 描述
- SGT工艺/60V/130A/3.5mΩ/(典型3mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- FDD86567-F085-DO
- 商品编号
- C49208672
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4958克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.377nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.666nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可提供低栅极电荷的出色RDS(ON)性能,适用于各种应用场景。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 130 A,RDS(ON) < 3.5 m Ω(VGS = 10 V时),典型值为 3 m Ω
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低 RDS(ON)
- 封装散热性能良好