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FDD86567-F085-DO
N沟道MOSFET
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- 描述
- SGT工艺/60V/130A/3.5mΩ/(典型3mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- FDD86567-F085-DO
- 商品编号
- C49208672
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4958克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.1nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.377nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.666nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V，漏极电流（ID） = 130 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 3.5 mΩ，典型值为3 mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 采用散热性能良好的出色封装