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NTD85N02R-DO
N沟道MOSFET
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- 描述
- N管/20V/90A/3.5mΩ/(典型2.9mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- NTD85N02R-DO
- 商品编号
- C49208608
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.471733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@2.5V；2.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 87W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20 V,漏极电流(ID) = 90 A,当栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 3.5 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能良好
应用领域
- DC-DC降压转换器中的高端开关-笔记本电脑电池电源管理-笔记本电脑中的负载开关