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DON633
N+P沟道MOSFET
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- 描述
- N+P管/60V/35A/15mΩ(典型12mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON633
- 商品编号
- C49190249
- 商品封装
- DFN-8D(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.163094克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V；60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A；35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V；29mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V；53nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.928nF；4.025nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF；97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 133pF；136pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道:VDS = 60 V,ID = 35 A,在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 15 mΩ(典型值:12 mΩ)
- P沟道:VDS = -60 V,ID = -30 A,在VGS = -10 V时,RDS(ON) < 36 mΩ(典型值:29 mΩ)
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 封装散热性能良好。
- 湿度敏感度等级3(MSL3)
应用领域
- 电池保护-电池供电系统-电源管理-电机控制-便携式电源适配器