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DOD413A
P沟道MOSFET
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- 描述
- P管/-40V/-23A/40mΩ/(典型30mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD413A
- 商品编号
- C49190263
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.480662克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.033nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 106pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -40 V,漏极电流(ID) = -23 A,当栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 40 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能出色
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- 15kv-1m*5m*6mm
- SD4950
- HCTC-201610-R10-M
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