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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DOD409

P沟道MOSFET

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描述
P管/-60V/-30A/35mΩ/(典型26mΩ)
商品型号
DOD409
商品编号
C49190267
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.44205克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))26mΩ@10V
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))1.8V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)46nC@10V
输入电容(Ciss)2.535nF
反向传输电容(Crss)75pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)130pF

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(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个2500个/圆盘

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