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NTD20P06LT4G-DO实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTD20P06LT4G-DO

P沟道MOSFET

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描述
P管/-60V/-20A/68mΩ/(典型60.9mΩ)
商品型号
NTD20P06LT4G-DO
商品编号
C49190268
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.440199克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))68mΩ@10V
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)82.32nC@10V
输入电容(Ciss)1.961nF
反向传输电容(Crss)560pF
类型P沟道
输出电容(Coss)725pF

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(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
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