温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DOD442
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N管/60V/50A/15mΩ(典型11mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD442
- 商品编号
- C49190258
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.441554克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V；11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.928nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 136pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可实现极低的栅极电荷和出色的RDS(ON),适用于各种应用场景。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 50 A,RDS(ON) < 15 m Ω(VGS = 10 V 时)
- 栅极电荷低
- 提供环保型产品
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低 RDS(ON)
- 采用散热性能良好的封装