温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DOD508
N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N管/30V/80A/5mΩ(典型4.2mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD508
- 商品编号
- C49190259
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475099克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.614nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 245pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 80 A,当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 5 m Ω
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能出色