温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DOD4132
N沟道 耐压:30V 电流:120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N管/30V/120A/4mΩ(典型3mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD4132
- 商品编号
- C49190256
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.448765克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 30 V, ID = 120 A, RDS(ON) < 4 m Ω \cdot @ VGS = 10 V
- 低栅极电荷。
- 有环保器件可选。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低 RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的出色封装。