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DON120NP02
N+P沟道MOSFET
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- 描述
- N+P管/20V/120A/3.5mΩ(典型2.8mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON120NP02
- 商品编号
- C49190250
- 商品封装
- DFN-8D(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.305124克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@4.5V；2.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W；39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 660mV；660mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@4.5V；55nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF；3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 832pF；860pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 890pF；966pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道:VDS = 20 V,ID = 120 A,在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 3.5 mΩ(典型值:2.8 mΩ)
- P沟道:VDS = -20 V,ID = -120 A,在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 4.5 mΩ(典型值:3.6 mΩ)
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻RDS(ON)。
- 封装散热性能良好。
- 湿度敏感度等级为3级(MSL3)
应用领域
- 电池保护-电池供电系统-电源管理-电机控制-便携式电源适配器